|
Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко Л.А., Кокин СМ. Электролюминесцентные источники света.-М.: Энергоатомиздат,1990.-168с.
Власенко Н.А. Электролюминесцентные устройства отображения информации.-Киев: О-во "Знание" Украины, 1991.-24с.
З.Парфенов Н.М., Кокин С.Н., Бокнер Б.Г., Острый Н.Е., Ликовецкий А.В., Хромов А.Д. Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур // Краткие сообщения и письма в редакцию.-1985.- С. 119-120.
Кодзава X., Оваки Д., Цудзияма Б. Повышение яркости и снижение напряжения возбуждения тонкопленочных
электролюминесцентных элементов // Кэнкю дзицуёка хококу. -1983.-T.32.-No 3-C.819-830 (перевод ТПП N Г-344).
1noguchi Т., Takeda M., Kakihara Y., Nakata Y., Yoshida M. Stable High-Brightness Thin-Film Electroluminescent Panels // 1974 SID International Symposium Digest; Los Angeles -1974.-P.84.
Suzuki Ch., Inoguchi Т., Mito S. Thin-Film EL Displays// J.Inform Display.-1977.-Spring.-P. 14-19.
Mach R., Muller G.O. Physical Concepts of High-Field, Thin-Film Electroluminescent Devices //Phis.Stat Sol. -1982.-Vol.69A.-No 11. -P.I 1-66.
Мозжухин Д.Д., Бараненков И.В. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства // Зарубежная электроника.-1985.-No7.-C.81-94.
Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков.-Киев: Вища школа. Головное изд-во 1980.-400 с.
lO.Sasakura H. Kobayashi Н., Tanaka S., Mita J., Tanaka T. Electroluminescent mechanism of ZnS:Mn and ZnS:TbF3AC thin-film
devices // J.Luminescence.-1981.-Vol.24-25. -Pt.II.-P.897-900.
ll.Mita J., Koizumi M., Hanno H. ZnS:Mn Thin-film Electroluminescent Devices Having Doubly-Stacked Insulating Layers. Trans. Inst. Electronics Comm.Engrs.-Japan.-1987.-Vol.26. -No 5.-P.541-543.
Alt P.M., Dove D.B.,Howard W.E. Experimental results on the stability of ACthin-film electroluminescent devices // J. Appl.Phys. -1982.-Vol.53.-No7.-P.5186-5199.
Okamoto K., Nasu Y., Hamakawa Y.Low-threshold-voltage thin-film electroluminescent devices // IEEE Trans. Electron Devices. -1981.-Vol.ED-28.-P.698.
И.Бойко В.Г., Забарский А.В., Красников Н.И., Родионов В.Е., Тимошенко Ю.С. Разработка тонкопленочных
электролюминесцентных индикаторов для радиоизмерительной аппаратуры // Техника средств связи (научно-технический сборник). Серия радиоизмерительная техника. - Москва: Экое. - 1988. - Вып.6-7. -С.28-34.
Muller G.O. Basis of electfon-imppact-excited luminescence devices. Phys.Stat.Sol.-1984.-Vol.A81. No 2-P.597-608.
Пасынков В.В. Материалы электронной техники.М.: Высшая щколаД 980.-406 с.
Власенко Н.А., Куриленко Б.В., Цыркунов Ю.А. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. -Киев: Общество "Знание" Украинской ССР, 1981.-24с. (Радиоэлектроника и вычислительная техника).
Аллен Р. Современные индикаторы: борьба за области применения // Электроника.- 1980.Т.53.-No 6.-С.52-69.
Rufer H., Marrello V., Onton A. Domain electroluminescence in AC thin-film devices//J. Appl.Phys.-1980.-Vol.51-No 2.-P. 1163-1169.
Технология тонких пленок / Под ред. Л.Майссела, Р.Гленга. -М.: Советское радио, 1977.-Т.2.-768с.
Власенко Н.А., Беднарчук Д.И. Светоизлучающие тонкопленочные структуры и их применение.-Киев: Общество "Знание" Украинской ССР, 1987.-20 с.
King С. Thin-film electroluminescent displays // SAE Techn. Pap.Ser.-1985.-No 851461.-P.1-16.
23 .Корж И.А., Красов В.Г., Хромов А.Д. Тонкопленочные конденсаторы на основе сложных кислородных соединений редкоземельных элементов // Электронная промышленность. -1976.-Вып.З. -С.40.
Менн Р., Тюета Р., Пьерсон Ж., Га белото П. Значение и исследование диэлектрического слоя // Le vide, les Couches Minces. -1984.-Vol.39.-P.205-212, (перевод ТГШ УССР No D-987/4,1987).
Kozawaguchi H., Ohwaki J., Tsujigama B. Thin-film electroluminescent devices with low operating voltage and high brightness // Rev.Elec.Commun.Lab.-1984.-VoL32.-No L-Pt.l-P.71-77.
Kozawaguchi H., Tsujugama В., Murase K. Thin-film electroluminescent device employing Ta2O5 RF sputtered insulating film // Jap J. Appl. Phys.-1982- Vol.21.-P. 1028.
Vallabhar C.P.G., Jayaraj M.K. The effects of insulating lager on the electroluminescent devices // Program book of abstracts 5th International Workhop on Electroluminescence. Helsinki. Finland.-1990.-P.51-52.
Tiku S.K., Smith G.C. Choice of dielectrics for TFEL displays // IEEE Trans. Electron Dev.-1984-Vol.ED-31.-P.105.
Alt P.M., Dove D.B., Howard W.E. Experimental results on the stability of ac thin-film electroluminescent devices// J. Appl. Phys. -1982.-Vol.53.-P.5186.
Herman M.A. High-field thin-film electroluminescent display // Electron. Technology, Warsaw.-1986.-No 19.-P.23-58.
31 .Васильченко В.П., Войханский М.А., Матизен Л.Л., Свойства окиси иттрия как компонента тонкопленочных электролюминесцентных структур // Уч.Зап.Тартуского ун-та.-1986.-Вып.742. -С.5-10.
Красов В.Г., Марин К.Г., Устюгова Л.С., Хромов А.Д. Материалы для тонко- и толстопленочной технологии изготовления ГИС // Электронная промышленность.-1980.-Вып.8-9.-С.79-80.
ЗЗ.Крикоров B.C., Красов В.Г., Маркарянц А.Е. Получение иисследование качества тонкопленочных конденсаторов на основе окислов редкоземельных элементов // Электронная техника. Сер. 12.-1971.-Вып.1-С.79.
Красов В.Г. Обзоры по электронной технике: Пленочные диэлектрики в микроэлектронике. -М. 1978. -Вып.6. -Сер. Материалы.
Лазарев В.Б., Красов В.Г., Шаплыгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. -М.: Наука,1976.-С138.
Зб.Хромов А.Д., Красов В.Г., Тананаев И.В., Джуринский Б.Ф. Диэлектрические материалы на основе соединений редкоземельных элементов для тонкопленочных пассивных элементов микросхем // Электронная техника. Сер. 14.-1974.-Вып. 12.-С.84.
Muller G.O. Basics and limits of thin-film EL divices // Program book of abstracts 5th International Workhop on Electroluminescence, Helsinki,Finland.-1990.-P.5-6.
А.3. 0145470 ЕПВ, МКИ Н05 В 33/22. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / Matsushita Electric Industrial Corporation.- Заявлено 9.12.83; Опубл. 19.06.85.
Пат. 4547703 США, МКИ Н 05 В 33/12 / Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / Matsushita Electric Industrial
Corporation.- Заявлено 28.05.82; Опубл. 15.10.85.
А.З. 60-40160 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Электролюминесцентный элемент / Мацусита дэнки сангё К.К.-Заявлено 28.08.80; Опубл. 09.09.85.
В.З. 2088632 Великобритания, МКИ Н 05 В 33/26, Н 1 К. Электролюминесцентный дисплей / Brady WH Co.- Заявлено 25.11.81; Опубл. 09.06.82.
Пат. 4482841 США, МКИ Н 01 J 1/70. Композитные диэлектрики для низковольтных электролюминесцентных индикаторов. Техас Instruments Inc.- Заявлено 2.03.82; Опубл. 13.11.84.
Пат.56-52438 Япония, МКИ Н 05 В 33/00, Н 01 L 33/00. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / Сяпу К.К.-Заявлено 10.07.73; Опубл. 11.12.81.
А.З. 0109589 ЕПВ, МКИ Н 05 В 33/22. Электролюминесцентный дисплей / GTE Products Corporation.- Заявлено 3.11.81; Опубл. 30.05.84.
А.З. 2-7390 Япония, МКИ Н 05 33/22. Тонкопленочная электролюминесцентная панель с дополнительным слоем диэлектрической изоляции / К.К. Ниппон дзидося бухин сого кэнкюсё.-Заявлено 27.06.88; Опубл. 11.01.90.
Пат. 4683044. США, МКИ С 23 С 14/00. Метод изготовления электролюминесцентной панели / Shimizu Y.,Matsuddira Т., 501 Ноуа Corp.- Заявлено 26.06.86; Опубл. 28.07.87.
Yoshida M., Mikami A., Ogura Т., Tanaka К. Stability improvement of red-emitting CaS:EuS thin-film electroluminescence // Digest 1986 SID Int.Simp.-1986.-P.41-43.
Robbins D.J., DiMaria D.J., Falcony C, Dong D.W. A study of the electrical and luminescence characteristics of a novel Si-based thin-film
electroluminescent device // J.Appl.Phis.-1983.-Vol.54.-No 8.-P.4553-4569.
A.3. 2-7388 Япония,МКИ Н 05 В 33/22,G 09 F 9/30. Электролюминесцентный элемент / Сано И., Ниппон денки К.К.-Заявлено 24.06.88; Опубл. 11.01.90,
Пат. 4664985 США, МКИ В 32 В 9/00. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / Matsuoka T.,Fujita Y., Kuwata J., Abe A., Nitta Т.; Matsushita Electric Industrial Co.- Заявлено 25.09.84; Опубл. 12.05.87.
A.3. 1260796 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Электролюминесцентный элемент / Аоки Ю., Кабаяси С, Наканиси К., Огино Й., Сигэока Т., Эндзёдзи К.; Ниппон итагарасу К.К. - Заявлено 12.04.88; Опубл. 18.10.89. Бюл. No ПО.
Mach R. Degradation Mechanisms of Thin-Film Electroluminescent Devices // Program book of abstracts 5th International Workhop on Electroluminescence. Helsinki. Finland.-1990.-P. 19.
A.3. 1227395 Япония, МКИ Н 05 В 33/10, Н 05 В 33/22. Способ изготовления тонкопленочных электролюминесцентных элементов / Ониси С, Нисикава М.; Мацусита дэнки сангё К.К.- Заявлено 8.03.88; Опубл. 11.09.89. Бюл. N96.
Kuwata J., Abe A. A highly stable TFEL panel with CaS baffer layer// Digest 1988 IID Int.Simp., Anaheim. Calif.-1988.-P. 19-22.
Sano Y., Nunomura K., Koyama N., Sakuma H., Utsumi K. A novel TFEL device using a high-dielectric constant multilayer ceramic substrate // IEEE Trans.Electron. Dev.-1986.-Vol.ED-33.-N 8.-P.1155-1158.
Sano Y., Nunomura K., Koyama N., Sakuma H., Utsumi K. A novel TFEL device using a high-dielectric constant multilayer ceramic substrate. Conf. Rec. Int. Display Res.Conf.San Diego. Calif.-1985.-P.173-176.
A.3. 1146290 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Тонкопленочный
электролюминесцентный элемент / Вакитаки М., Ватабэ Д., Хасэгава Т., Катаяма Р., Сато А.; Фудзицу К.К.- Заявлено 2.12.87; Опубл. 08.06.89. BKWI.NO 64.
А.З. 1146289 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / Вакитаки М., Ватабэ Д., Хасэгава Т., Катаяма Р., Сато А.; Фудзицу К.К.- Заявлено 2.12.87; Опубл. 08.06.89. Бюл. No 64.
В.З. 2106317 Великобритания, Н 05 В 33/22, Н 1 К. Электролюминесцентный дисплей / Sun Chemical Corpor.- Заявлено 16.09.82; Опубл. 07.04.83.
Kobayashi H. Thin-Film electroluminescent device from ZnS:Mn with the layer Ge // IEEE Trans.Electron Devices. -1982.-Vol.29.-N 1 O.P.I 626-1630.
B.3. 2133927 ' Великобритания H 05 В 33/22, H 1 K. Электролюминесцентное устройство / National Research Development Corporation.- Заявлено 10.12.82; Опубл. 01.08.84.
B.3. 2074787 Великобритания Н 05 В 33/22. Электролюминесцентная структура / Lohja A.B.- Заявлено 31.03.81; Опубл. 04.11.81.
бЗ.Пат. 4287449 США, МКИ Н 05 В 33/14, Н 05 И 33/22. Светопоглощающая пленка для тыльных электродов электролюминесцентной панели отображения информации / Sharp K.K.-Заявлено 31.01.79; Опубл. 01.09.81.
В.З. 053114199 ФРГ. МКИ Н 05 В 33/22. Электролюминесцентное устройство / Lohja A.B.- Заявлено 8.04.81; Опубл. 02.03.82.
А.З. 58-35360 Япония, МКИ Н 05 В 33/26, С 09 F 9/00, G 09 G 3/30, Н 01 В 5/14. Тонкопленочная люминесцентная панель / Сяпу К.К.-
Заявлено 3.02.78; Опубл. 02.08.83.
Yokayama M. Электролюминесцентные тонкопленочные приборы высокого контраста с поглощающим слоем GaAs // SAE Techn. Pap. Ser.-1986.- No 860349.-P.121-127.
Пат. 4547702 США, МКИ Н 05 В 33/22. Тонкопленочный электролюминесцентный прибор отображения информации / GTE Products Corporation.- Заявлено 11.10.83; Опубл. 15.10.85.
Panicker H.P.R. Повышение контраста в тонкопленочных электролюминесцентных индикаторах при использовании слоя от-ражающго диэлектрика//ТЫп Solid Films.-1985.-Vol. 123.-No 1.-P. 19-25.
Миллер М.Р., Шлям Э. Электролюминесцентная техника воспроизведения // Proceedings of Society of photo-optical instrumentation engineers.-1979.-Vol. 199.-No 71-75.(Перевод ТПП УССР N Б-739/23; per. No 85/6048).
Matsuoka N., Nishikawa M, Fujita Y., Tohda Т., Abe A. Высококонтрастная электролюминесцентная панель / Nat. Tehn. Rept.-1987.-Vol.33-N l.-P.l 18-123.
Свечников СВ., Бабинец Ю.Ю., Мица В.М., Сикора СИ., Родионов В.Е. Контрастирующие промежуточные слои на основе бескислородных стекол в электролюминесцентных структурах постоянного тока // Межд.конф."Оптоэлектроника-89" Баку. -1989. -С.42.
Фурман Ш.А. Тонкопленочные оптические покрытия.-М.: Машиностроение, 1990.-256с.
Борец А.Н., Химинец В.В., Туряница И.Д. Сложные стеклообразные халькогениды.-Львов: Вища школа, 1987.-С.183.
Кокорина В.Ф., Айо Л.Г., Киелицкая Е.А., Мельников В.В. Новые исследования стеклообразования и свойств безкислородных полупроводниковых стекол // Тр. 6-ой Межд. конф. по аморфным и
жидким полупроводникам.-Л.: Наука,-1976. -С.39-43.
В.З. 2120845 Великобритания, Н 05 В 33/22. Комбинированная пленка / Lohja AB- Заявлено 28.04.83; Опубл. 07.12.83.
Товт С.З., Мица В.М., Бабинец Ю.Ю., Свитлинец В.П. Двухкомпонентная интерференционная структура с термочувствительным слоем на основе ХСП // Электроника. Сер.5. Радиодетали и компоненты. Электронные датчики.-М.-1989.-Вып.1-С51.
77-Товт С.З., Бабинец Ю.Ю., Свитинец В.П., Логина Л.А. Термочувствительные структуры на основе ХСП в плоских устройствах отображения информации // Материалы II обл. конф. молодых ученых. Ужгород.-1989.-С. 10-12.
Технология тонких пленок / Под ред. Л.Майсела, Р.Глэнга. М.: Советское радио, 1977, -Т.1, -660с.
А.З. 1225093 Япония, МКИ Н 05 И 33/10. Способ изготовления электролюминесцентного элемента / Фукао Ф., Каваками А., Хамакава К. Хитати маку сэру.- Заявлено 1.03.88; Опубл. 07.09.89. Бюл. No 95.
Кривутенко А.И. Конструктивно-технологические методы повышения параметров тонкопленочных электролюминесцентных устройств:Дис. канд.тех.наук.-Киев,-1990.-195с.-Машинопись. -ДСП.
Пат. 4342945 США, МКИ Н 05 В 33/02, Н 05 В 32/22. Тонкопленочное люминесцентное устройство / Rockwell Internat. Corp. -Заявлено 20.05.80; Опубл. 03.08.82.
У о лл ер Л. Электро люминесцентные индикаторы с повышенной яркостью и долговечностью // Электроника.-1984.-No 4.-C.3-4.
Пат. 2254044 ФРГ, МКИ Н 05 В 33/14. Электролюминесцентное индикаторное устройство / Jeneral Electric Co.- Заявлено 4.11.72; Опубл. 13.05.82.
А.З. 60-41439 Япония, МКИ Н 05 В 33/26. Тонкопленочная
электролюминесцентная панель / Сяпу К.К.- Заявлено 29.05.80; Опубл. 17.09.85.
Шлям Э. Электролюминесцентные экраны // SID-81, Digest Session V, USA.-198l.-April.-P. 19-21. (Перевод ТПП УССР No Г-574/10.-1987.)
А.З. 119799 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / Ямасита Т., Накая X., Миками А., Йосида М., Накадзима С; Сяпу К.К.- Заявлено 2.02.88; Опубл. 09.08.89. Бюл. No 85.
Парфенов Н.М., Кокин СМ., Беккер Б.Г., Острый И.Е., Липовецкий А.В., Хромов А.Д. Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных * структур //
Краткиесообщения и письма в редакцию.-1985.-No 4.-C.I 19-120.
Георгобиани А.Н. Электролюминесценция кристалов // Исследования по люминесценции. Труды Физического института им. П.Н.Лебедева.- М.: Издательство АН СССР, 1963.-T.XXIIL -С.3-63.
Колотилова В.Г. О напряженностях электрических полей в слоях пленочных электролюминесцентных излучателей.-М.: Производственно-издательский комбинат ВИНИТИ, 1988.-9с.
Войханский М.А. Перенос заряда и возбуждение марганца в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях переменного тока на основе ZnS'.Mn. Автореф.дис. канд.техн.наук. -Тарту, 1989.-С.16.
Власенко Н.А. Электролюминесцентные пленки как источники света для целей оптоэлектроники // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев.-1973.-Вып. 13.-С.93-101.
Theis D. Selected analytical tools yield a better insight into electroluminescent thin-films // Phis.Stat.Sol.-1984. -Vol. A8I.-N0 2. -P.647-649,653-655.
Okamoto К., Nasu Y., Hamabawa Y. Low-threshold-voltage thin-film electroluminescent devices //IEEE Trans.Electron Devices. -1981.-Vol.ED-28.-No 6.-P.698.
Родкин М.А. Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:TbF3 с двумя изолирующими слоями // Уч.зап. ТГУ.-1984.-ВЫП.692.-С.35-48.
Пат. 4464602 США, МКИ Р 05 В 33/12. Тонкопленочный электролюминесцентный прибор / Seeketary of the Urmy.- Заявлено 28.01.82; Опубл. 07.08.1984.
Tanda S., Miyakoshi A., Nire T. Bright SrS TEFL- devices prepared by multi-source deposition // 1988 Int.Display Research Conf., San Diego, Calif. Oct.4-6,1988.-P.122-124 (Conf.Rec.Int.Display Res.Conf).
Menn R., Tueta R., Izrael F., Braguier M. Thin-film electroluminescent devices with low operating voltage and high brightness// Rev. Elec.Commun. Lab.-1984-Vol.32, -No l.-Pt.l-P.71-77.
Tornqvist R., Antson J., Sharp J., Tanninen V.-P. How the ZnS:Mn layer thickness contributes to the performance of AC thin-film EL devices grown by ALE // Conf.Rec.Intern. Display Res. Conf.,Cherry Hill.N.-Y., 19-21 Oct.-1982-P.34-37.
Fuh F., Callincer R.P., Caporaletti O. The effect of coevaporation on Zns:Mn electroluminescent characteristics // Can.J. Phys.-1987.-Vol.65.-P.1060-1063.
ЮО.Власенко Н.А. Фото-и электролюминесценция пленок // Уч.зап. Тартуского ун-та.-1973.-Вып.325.-С.З-68.
lOl.Tanaka S., Nakamura К., Morita H., Wada S., Kobayashi H. Annealing effect on electroluminescence characteristics of SrS thin-film devices // Program book of abstracts EL 90 5th International Workhop on Electroluminescence, Helsinki, Finland, June 11-13,1990.-P.67-68.
Miura S., Okamoto K., Sato S., Andoh J., Ohnishi H., Hamakawa Y. Green color ACTFEL with sputtered ZnS:TbF3// Proc.3rd Int. Display Res.Conf.-1983.-VolA-No 3.-P.84-87.
Fukao R., Manade Т., Hamakawa U. High-brightness low-driving-voltage ZnS:TbF3 thin-film electroluminescent devices // Electrochem.Soc. Extended Abstracts, Oct.-1987.-Vol.84-2. -P.1718-1719.
Reinsperger G.U., Mach R., Schnuerer E. Vacuum deposition of ZnS:Mn thin-film electroluminescence devices // Program book of abstracts EL 90 5th International Workhop on Electroluminescence, Helsinki,finland, June 11-13, 1990.-P.39-40.
Tiku S.K., Mazed M.A., Panicker P.R. Green ACTFEL display deposited by co-evaporation // Electrochem.Soc.Extended Abstracts. Oct.-I987.-Vol.84-2.-P.1718-1719.
Nire Т., Watanabe Т., Tanda S., Sano S. Low-drive-voltage TFEL devices prepared by multisource deposition method // SID Int.Symp.Dig.Tech.papars.-1987.-VoU3.-No 4.-P.238-241.
Mishima T.,Takahashi K. Low threshold voltage ZnSe:Mn thin film electroluminescent cells prepared molecular beam deposition // Journal of Applied Ppysics.-1983.-Vol.54.-No 5.-P.2153-2155.
Антоненко П.И., Абдрашитов Ш.М., Троян П.Е. Исследования электрофизических свойств пленок сульфида цинка, полученных высокочастотным магнетронным распылением // Изв. вузов.Физ.-1990.-Vol.33-No 6.-C.29-32.
0ниши X. Тонкопленочные электролюминесцентные элементы высокой яркости с зеленым цветом излучения получаемые методом высокочастотного распыления // Тэрэбизён гаккайси. -1988.-T.42.-No 10.-P.1091-1096.
ПО.А.з. 1112691 Япония, МКИ4 H 05 В 33/10. Изготовление
тонкопленочных электролюминесцентного элемента / Нисикава М., Кувада А., Фудзита Й., Мацуока Т., Абэ А.; Мацусита дэнки сангё К.К.-Заявлено 23.10.87; Опубл. 01.05.89. Бюл. No 50.
Aschmoneit Ernst-Karl. Atomschichtepitaxie. Basis flacher Elektrolumineszenz-Bildschirme // Techn.Rdsch.-1988.-Vol.80. -No 18. -P.56-59.
Ono Y.A. Different techiqnes employed in deposition of TFEL devices // Program book of abstracts EL 90 5th International Workhop on Electroluminescence, Helsinki, Finland, June 11.03.1990.-P.9-10.
ПЗ.Ониши X. Тонкопленочные электролюминесцентные приборы зеленого цвета с низким уровнем порогового напряжения //Тэрэбидзён гаккайси J.Inst.Telev.Eng.Jap.-1984.-Vol.38. -No 4.-P.309-313.
1 Н.Джимов Т., Холли Р., Ланзингер Д., Таття Р.П. Монолитные микросхемы устройств возбуждения для матричных ТПЭЛ экранов с градацией яркости // SID-81, Digest, Session V. USA. -1981.-april,No 5.-P.24-25.(Перевод ТПП УССР N Г-574/13).
Пат. 810085 СССР, МКИ Н 05 В 23/08. Способ получения составных пленок неорганических соединений / Сунтола Т., Антсон Й, Ой Лохья АБ.~ Заявлено 28.11.75; Опубл. 28.02.81. Бюл. No 8.
Свечников СВ., Власенко Н.А., Завьялова Л.В. Электролюминисцентные излучатели на основе пленок ZnS, полученных из хелатных металлоорганических соединений // Ж.техн.физ. - 1985.-T.55.-NO 12.-P.2406-2408.
Katsuhiko К, Hirabayashi M. Электролюминесцентный прибор переменного тока на тонких пленках ZnS:Mn изготовленный методом химического осаждения из паров металлоорганического соединения // Japan J.Appl Phis.-1985.-Vol.124.-No 11.-Р.1484-1487.
Marello V., Onton A. Electroluminescence efficiency profiles of
Mn in ZnS AC thin-film electroluminescence devices // Appl. Phis. Lett. -1979.-Vol.34.-No 8.-P.525-527.
Marello V., Samuelson L., Onton A., Reuter W. Probe layer measurements of electroluminescence excitation in AC thin-film devices // J.Appl.Phis.-1981.-Vol.52.-No5.-P.3590-3599.
Kobayashi M., Mino N., Inuzuka H., Konagai M., Takahashi K. Modulation-doped ZnSe:Mn dc thin-film electroluminescent devices // J.Appl.Phys.-1985.-Vol.57-P.4706.
Ш.Пат. 57-41199 Япония, МКИ Н 05 В 33/18. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / К.Томита, Т.Иноуэ, С.Такачи, Т.Цутиката, Сяпу К.К.- Заявлено 7.03.77; Опубл. 01.09.82.
Kobayashi M., Tanaka S, Color thi-film electroluminescent phosphors based on rare-earth doped alkaline-earth sulfides // Program book of abstracts EL 90 5th International Workhop on Electroluminescence. Helsinki. Finland. June 11-13. -1990.-P.15.
Mueller G.O.,Hernnann R., Selle B. A new thin-film electroluminescent device with laminated active film made by laser deposition // Program book of abstracts EL 90 5th International Workhop on Electroluminescence, Helsinki. Finland.June 11-13.-1990.-P.41 -42.
A.3. 1-272093 Япония, МКИ4 H 05 В 33/10. Способ изготовления тонкопленочной электролюминесцентной панели с повышенной яркостью свечения /Х.Дэгути, С.Осэдо, Й.Кагэяма, К.Камэяма; К.к.- Заявлено 21.04.88; Опубл. 31.10.89.
Williams F. New trends in luminescence research // J. luminescence.-1979.-Vol.l 8/19.-Pt2.-P.941-946.
Suyama Т., Okamoto K., Hamakawa W. New type of thin-film electroluminescent device having a multilayer structure // Appl. Phis. Lett. -1982.-Vol.41.-No 5.-P.462-465.
Bernard J.E., Martens M.F., Morton D.C., Williams F. Mechanism of thin-film electroluminescence // IEEE Transactions on Electron Devices.-1983.-Vol.ED-30.-No5.-P.448-452.
Morton D.C., Williams F.E. A new thin-film electroluminescent material ZnF2:Mn//Appl.Phys.Lett.-1979.-Vol.35.-No 9. -P.671-672.
Doi Т., Ohinshi H., Ilyasu K., Hamakawa Y. Bright dc electroluminescence in ZnSe-ZnS:Mn thin-film // J.Appl.Phys. -1980.-Vol.51.-No8.-P.4555-4557.
A.3. 1-272096 Япония, МКИ H 05 В 33/14. Структура тонкопленочных электролюминесцентных элементов // К.Кивада, К.К. Кэнтуддо.- Заявлено 21.04.88; Опубл. 31.10.89. Бюл. No 114.
Ohwaki J., Tamura Y., Kozawaguchi H. High-brightness blue, red and stable green thin-film electroluminescent devices // Rev. Elec. Commun. Lab.-1987.-Vol.35.-No6.-P.733-739.
A.3. 6433885 Япония, МКИ4 H 05 В 33/24. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент // А.Ямамото.,О.Канэхиса., Т.Нисида; К.К. Хитати сэйсакусе.- Заявлено 29.07.87; Опубл. 03.02.89. Бюл. No 16.
А.З. 57-5359 Япония, МКИ Н 05 В 33/00. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент и способ его изготовления // Сяпу К.К.- Заявлено 11.04.77; Опубл. 29.01.82.
А.З. 57-5360 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент и способ его изготовления // Сяпу К.К.- Заявлено 21.02.77; Опубл. 29.01.82.
Пат. 4099091 США, МКИ Н 05 В 33/14, Н 05 В 33/22. Электролюминесцентная панель содержащая токопроводящий слой между двумя электролюминесцентными слоями / Electric Industrial Co. -Заявлено 28.07.76; Опубл. 04.07.78.
А.З. 56-52439 Япония, МКИ Н 05 В 33/22.
Электролюминесцентный светоизлучающий элемент / Фудзицу К.К.-Заявлено 12.11.74; Опубл. 11.12.82.
Kobayashi H., Tueta R.J., Menn R. Thin-film ZnS:Mn AC-electroluminescent device with a Ge layer // IEEE Transactions. -1982.-Vol7 ED-29.-No 10.-P. 1626-1630. (Пер.ТПП УССР N В-1275/12).
Kozawaguchi, H. Тонкопленочные электролюминесцентные приборы с низким рабочим напряжением и высокой яркостью // Rev.Elec. Commun 7 Lab.-1984.-Vol.32.-No 1.-P.71-77.
Mikumi А. Пятислойный тонкопленочный электролюминесцентный элемент, изготовленный методом ВЧ-распыления / Дэнси цусин гаккай ромбунси Trans.Inst. Electron and Commun. Eng. Jap. -1985.-Vol.68.-No 4-P.285-290.
HO.Ishida ML, Matsunami H., Tanaka T. Preparation and properties of ferroelectric PLZT thin-films by rf-sputtering // J. Appl.Phys.-1977.-Vol.48.-P.951-953.
Tanaka H., Higuma Y., Yokoyama K., Nakagawa Т., Hamakawa Y. Ferroelectric PLZT thin-films fabricated by RF sputtering // Japan J. Appl.Phys.-1976.-Voll5.-P.1381-1382.
0ikawa M., Toda K. Preparation of Pb (Zr,Ti)C>3 thin-film by an electron beam evaporation technique // Appl.Phys.Lett. -1976.-Vol.29.-Oct-P.491-492.
0kuyama M., Matsui Y., Nakano H., Hamakawa Y., Nakagawa T. Epitaxial growth of ferroelectric PLZT thin-film and their optical properties // Appl.Phis.-1980.-Vol.21.-P.339-343.
Theis D., Venghaus H., Ebbinghaus G. Electrooptical properties of AC thin-film electroluminescent devices // Siemens Forsch.-und Entwickhmgsber.-1982.-Vol.ll.-No 5.-P.265-270.
1okoyama M. Тонкопленочные электролюминесцентные инди-
каторы переменного тока для приборных щитков автомобилей // SAE Techn. Pap.Ser.-1985.-No 50144.-Р.47-53.
Нб.Заявка 6482487 Япония, МКИ Н 05 В 33/22. Тонкопленочный электролюминесцентный элемент / К.Табата, Н.Танда, Т.Нирэ. -Заявлено 25.09.87; Опубл 28.03.89. Бюл. No 37.
Нуномура К. Електролюминесцентный элемент на основе многослойной керамики с высокой диэлектрической проницаемостью // Эрэкутороникусу Сэрамикусу Electron. Cer.-1986.-Vol.17. -No 81.-P.9-13.
Fujita Y., Kuwata J., Nishikawa M., Tohda Т., Matsuoka Т., Abe A., Nitta T. Large-scale AC thin-film electroluminescent display panel // in Proc. Japan Display 83 (Kobe, October 3-5, 1983). - 1983.-P.76.
Электролюминесцентные индикаторы // Экспресс-информация. Электроника.-М.: 1984.-Вып.25.-С.15-16.
15O.Abe A., Fujita Y., Tohda Т., Matsuoko Т. Large-scale AC thin-film electroluminescent display panel // Nat.Techn. Repot- 1984.-Vol.30.-No 1 -P.186-192.
A.3. 1-272097 Япония, МКИ4 H 05 В 33/22. Тонкопленочные электролюминесцентные панели с очень высокой яркостью свечения / У.Минами, Х.Минато, С.Такада.- Заявлено 21.04.88; Опубл. 31.10.89. Бюл. No 114.
А.З. 1-272095 Япония, МКИ4 Н 05 В 33/14. Тонкопленочные электролюминесцентные панели с повышенной яркостью свечения / У.Минами, Х.Минато, С.Такада.-Опубл. Заявлено 21.04.88; Опубл 31.10.89. Бюл. No 114.
Пат. 4386295 США, МКИ Н 01 J 29/10, Н 01 J 313/463. Керамический люминесцентный прибор / Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.- Заявлено 16.05.80; Опубл. 31.05.83.
A.3. 1227392 Япония, МКИ Н 05 В 33/06. Электро-
люминесцентный элемент / Д.Ватанабэ, К.Мори; Сутаирэ дэнки К.К. -Заявлено 5.03.88; Опубл. 11.09.89. Бюл. No 96.
А.З. 6482489 Япония, МКИ Н 05 В .33/26, G 09 F 9/00. Электролюминесцентный прибор / К.Мимору; Арупусу дэнки К.К. - Заявлено 25.09.87; Опубл. 28.03.89. Бюл. No 37.
Хейзен P.M. Перовскиты // В мире науки- М.: Мир, 1988. -No 8. -Р.36-45.
Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. -М.: Высшая школа, 1986.-406 с.
Takamizawa H., Utsumi К., Yonezawa M., Ohno T. Large Capacitance Multilayer Ceramic Capacitor // IEEE Trans, on Сотр. Hyb. and Manufac. Tech.-1981.-Vol. CHMT-4.-No 4.-P.345-349.
Справочник по электротехническим материалам / Под. ред. Ю.В.Корицкого.-Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1988. -630 с.
Smith D.H. Modeling AC thin-film electroluminescent devices // J. Luminescence.-1981 .-Vol.23 .-P.209.
Mauch R.H., Neyts K.A., Schok H.W. Dunnschicht electrolumineszenz // Vakuum-Technik.-1989.-Vol.38.-Huf.l-2.
Калинин Н.Н., Скибинский Г.Л., Новиков П.П. Электро-радио материалы / Под. ред. Н.Н.Калинина.-М.: Высш.школа, 1981. -293 с.
А.С. 1545925 СССР, МКИ Н 05 В 33/24. Электролюминесцентный излучатель / В.Г. Бойко, М.Я. Рахлин, В.Е. Родионов, Г.Ф. Гордиенко, В.К. Скоморохов, Н.А.Штыпуляк (СССР). -№ 4323404/31 - 25, 4323678/31 - 25. - Заявлено 02.11.87; - Опубл. 22.10.89.
А.С. 1545924 СССР, МКИ Н 05 В 33/22. Цветной электролюминесцентный индикатор / М.Я. Рахлин, В.Е. Родионов, Г.Ф. Гордиенко, В.К. Скоморохов, В.Г. Бойко (СССР). - № 432396/31 - 25. -
Заявлено 02.11.87; - Опубл. 22.10.89.
Стекло. Справочник / Под.ред. Н.М.Павлушкина.-М.: Стройиздат.-1973.-С.227-237.
А.С 1567100 СССР, МКИ Н 05 В 33/14. Цветной электролюминесцентный индикатор / М.Я. Рахлин, В.Е. Родионов, Г.Ф. Гордиенко, В.И. Скоморохов, В.Г. Бойко (СССР).- №4323408/31-25, 4323411/25, 4323407/25. - Заявлено 02.11.87; - Опубл. 22.01.90.
Антипов Б.Л., Дунаева В.А., Савельев Г.А. Управляемые электролюминесцентные индикаторы на сегнетокерамическои основе // Изв. Ленинград.электротехн.ин-та.-1969.-Вып.80, -С. 102-107.
Vossen J.L. RF sputtered transporent conductors the sistem 1П2О3-SnO2 // RCA Review.-1971-Vol.32.-No 2.-P.289-296.
Арсеньев П.А., Глушкова В.Б., Евдокимов А.А. Соединения редкоземельных элементов. Цирконаты, гафнаты, ниобаты, танталаты, антимонаты.-М.: Наука, 1985. -285 с.
Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках.-М.: Мир.-1972.-С.256-261.
Брагин СМ., Вальтер А.Ф., Семенов Н.Н. Теория и практика пробоя диэлектриков.-М.-Л.: Госиздат.-1929.-120с.
Кузьмичев В.Е. Законы и формулы физики. Отв. ред. В.К. Тарковский.- Киев: Наук.думка.-1989.-864с.
Справочник по электротехническим материалам / Под. общей редакцией И.А.Андрианова, Н.П.Богородицкого, Ю.В.Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева.-М.-Л.: Государственное энергетическое издательство Госэнергоиздат. -1960.-Т.2.-С.410-432.
Технологические особенности создания
электролюминесцентных индикаторов на керамической основе / Бойко В.Г., Золотовский А.А., Кравченко А.Ф., Родионов В.Е.; Институт
физики полупроводников НАНУ. - Киев, 1996. - 16 с. Рус. - Деп. в ГНТБ Украины 22.04.96, № 995. - Ук.96. // Б1блюграф. в реф. ж. Депоноваш науков1 робота, № 1, 1997.
Бойко В.Г., Атдаев Б.С, Кравченко А.Ф., Родионов В.Е. Технологические особенности создания электролюминесцентных индикаторов на керамической основе // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - Киев: Наукова Думка. - 1996. - Вып.31. -С.145-150.
Власенко Н.А. О механизме старения электролюминесцентных пленок сульфида цинка и путях повышения их долговечности. Тр.по электролюминесценции. Тарту.-1976. -Вып.5.-с.22-52.
Бойко В.Г., Птицын В.Ю., Родионов В.Е., Скоморохов Н.В. Исследование волн яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур с одним керамическим диэлектриком // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - Киев: Наукова Думка. - 1991. - Вып. 19. -С.37-41.
Васильченко В.П., Матизен Л.Л., Родионов В.Е., Рахлин М.Я. Бойко В.Г. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры с одним диэлектриком на базе сегнетокерамической керамики. Уч.зап. Тартуск. ун-та.-1989.-Вып.867.-С.25-31.
Васильченко В.П., Матизен Л.Л., Войханский М.А. Изучение процессов переноса заряда в электролюминесцирующих структурах на основе ZnS. Уч. зап. Тартуск.ун-та.-1987.-Вып.779. - С. 22-31.
Tornqvist R. Manganese concentration dependent saturation in ZnS:Mn thin-film electroluminescent devices // Journal of Appliced Physics.-1983.-Vol.54.-No 7.-P.4110-4117.
Пат. 7831666 Великобритания, МКИ Н 05 В 33/26. Тонкопленочная электролюминесцентная индикаторная панель,
герметизированная стекляными подложками / Кавагути М., Кисисита X., Мидзуками Э.- Заявлено 12.02.78; Опубл^ 15.06.80.
Васильченко В.П., Матизен Л.Л., Войханский М.А. Тонкопленочные электролюминесцентные конденсаторы при импульсном возбуждении // Уч.зап. Тартуск.ун-та.-1987.-Вып.779.--С.32-49.
Исследование эффективности работы
электролюминесцентных излучателей на сегнетокерамической подложке / Бойко В.Г., Золотовский А.А., Кравченко А.Ф., Родионов В.Е.; Институт физики полупроводников НАНУ. - Киев, 1996. - 15 с. Рус. - Деп. в ГНТБ Украины 22.04.96, № 994. Ук.96. // Б1блюграф. в реф. ж. Депоноваш науков1 роботи, № 1, 1997.
Бойко В.Г., Кравченко А.Ф., Родионов В.Е. Исследование особенностей работы тонкопленочных электролюминесцентных излучателей с сегнетоэлектрическим диэлектриком // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - Киев: Наукова Думка. - 1996. - Вып.31. -С.155-159.
Бойко В. Г., Родионов В. Е. Получение электролюминесцентных излучателей на основе керамических диэлектриков // III Республиканская школа-конференция молодых ученых "Актуальные проблемы физики полупроводников". - Киев: ИП АН УССР. - 1989.-СЮ.
Tanaka К., Toyoda ML, Kirihata Y., Shinji К. Temperature Dependence Imporovement of Luminance of Powder Electroluminescent Panels // The Transactions of the leice.-Vol. E 72. No 4.-P.321-323.
A.C. 1713380 СССР, МКИ H 01 G 4/12, С 23 С 14/30. Способ нанесения диэлектрической пленки на подложку / СИ. Власкина, В.Е. Родионов, В.Г. Бойко (СССР). - № 4705242/21. - Заявлено 14.06.89; -
Опубл. 15.10.91.
А.З. 6482490 Япония, МКИ 05 В 33/28. Электролюминесцентный элемент / Нисиди М.,Андо Х.,Михара Т; Мацусита дэнки сенгё К. - Заявлено 25.09.87; Опубл. 28.03.89. Бюл. No 37.
Рахлин М.Я., Родионов В.Е., Бойко В.Г. Тонкопленочные электролюминесцентные зеленые излучатели с керамическими диэлектриком // ЖТФ. - 1989. - Т. 15. - Вып. 17. - С.67-71.
Феофилов П.П. //Опт. и спектр.-1961-Т. 10-No 1-C.142.
Биндра А.К. Увеличение размеров и яркости и улучшение параметров индикаторных панелей // Элект-ника~1984.-Т.57.-1Мо в.- С.32.
Benojt J., Benalloul P., Blanzat B. Rare earth complex dopants in A.C. Thin Films Electroluminescent cells // J. Luminescence.-1981.-Vol.23.-No 1-2.-P.175-190.
0gura T. High-brightness green-emitting electroluminescent devices with ZnS:Tb, F active layers // Appl.Phys.Lett.-1986. -Vol.48.- No 23.-P.1570-1571.
Mik.ami A., Ogura Т., Tanaka K., Taniguchi K., Yoshida M., Nakajima S. Tb-F Emission Centers in ZnS:Tb, F Thin Film Electroluminescent Devices // Proc. 6th Int. Display Res. Conf.-Pl. 4. -1986.-P.132-135.
Лидин Р.А., Андреева Л.Л, Молочко В.А. Справочник по неорганической химии. Константы неорганических веществ.- М.: Химия, 1987.-320 с.
Рахлин М.Я., Родинов В.Е., Люцко В.А., Ляхов А.И., Бойко В.Г., Буковский В.Е., Хотенко И.Н. Исследование взаимодействия сульфидов кадмия и цинка с фторидами редкоземельных элементов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - Киев: Наукова Думка. - 1992.-Вып.23.-С.70-74. .
| 
